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武汉大学联合
中国科学院
微电子研究所与青禾晶元在表面活化键合4H-SiC的热物性表征与声子热输运研究领域取得新进展
CSPSD 2024成都前瞻|
中国科学院
上海微系统与信息技术研究所程新红:SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发
CSPSD 2024成都前瞻 |
中国科学院
微电子研究所蒋其梦:氮化镓功率器件开关安全工作区的研究
2024九峰山论坛|
中国科学院
院士刘胜:为化合物半导体应用开拓更多“新赛道”
中国科学院
微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
【招聘】
中国科学院
宁波材料技术与工程研究所宽禁带半导体方向诚聘博士后
中国科学院
半导体研究所在脉冲型人工视觉芯片研制取得新进展
中科院物理所陈小龙团队:晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破
中国科学院
物理研究所
陈小龙
异质籽晶
同质籽晶
生长
中国科学院
半导体所伍绍腾:基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
中国科学院
半导体所荣获北京市自然科学奖一等奖
中国科学院
半导体所
高性能
钙钛矿
半导体
光电器件
载流子
2022年度
北京市自然科学奖
一等奖
2023年
中国科学院
“年度创新人物“丨陈小龙:国产化碳化硅晶片的开路人
中国科学院
长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝
深紫外
光电器件
吉林省
技术发明
一等奖
黎大兵
孙晓娟
蒋科
吴亮
徐春阳
贲建伟
中国科学院
在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
IFWS 2023│
中国科学院
半导体所闫果果:6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
IFWS 2023│
中国科学院
苏州纳米所司志伟:助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
IFWS&SSLCHINA2023│
中国科学院
院士、厦门大学党委书记、教授张荣:宽禁带半导体的几个基础问题
中国科学院
院士郝跃:第三代半导体的若干新进展
中国科学院
上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破
中国科学院
半导体研究所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展
中国科学院
院士邹广田:金刚石不仅能用作半导体,未来应用领域更广
中国科学院
公布2023年院士增选有效候选人名单
中国科学院
微电子所黄森:Si基GaN功率器件制备技术与集成
CASICON西安前瞻|
中国科学院
半导体所青年研究员梁锋:大功率GaN基蓝光激光器研究进展
CASICON西安前瞻|
中国科学院
半导体研究所副研究员张连:GaN功率型HBT与毫米波HEMT研究进展
CASICON西安站前瞻|
中国科学院
微电子所黄森:Si基GaN功率器件制备技术与集成
中国科学院
院士毛军发:集成系统是绕道摩尔定律的重要路径之一
中国科学院
院士、南京大学教授祝世宁:薄膜铌酸锂的机遇与挑战
中国科学院
院士、西安电子科技大学教授郝跃:化合物半导体器件进展与挑战
获
中国科学院
褒奖 | 谷器数据产品荣膺2022年度最佳!
中国科学院
院士刘忠范:攻克芯片卡脖子,一拥而上建集成电路学院待商榷
第
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